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  •                 産品展示
  • Diodes推出業界首款同級産品中極小DSN1406 2A 封裝的肖特基整流器
  • Diodes推出業界首款同級産品中極小DSN1406 2A 封裝的肖特基整流器  2024-04-05
    Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 發佈 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器，在同級産品中實現了業界極高的電流密度，以低正嚮壓降和熱阻的特性，為體積更小且更有效率的便攜式、移動和可穿戴設備克服了設計難題。
  • Diodes 公司推出業界首款同級産品中極小DSN1406 2A 封裝的肖特基整流器
  • Diodes 公司推出業界首款同級産品中極小DSN1406 2A 封裝的肖特基整流器  2024-04-05
    Diodes 公司 發佈 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器，在同級産品中實現了業界極高的電流密度，以低正嚮壓降和熱阻的特性，為體積更小且更有效率的便攜式、移動和可穿戴設備克服了設計難題。此係列創新的高電流溝槽肖特基整流器採用僅佔 0.84mm² 電路闆空間的芯片級封裝 (CSP)，適用於各種用途，可作為阻流或反極性保護二極管、升壓二極管和開關二極管使用。
  • Vishay推出採用改良設計的INT－A－PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗
  • Vishay推出採用改良設計的INT－A－PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗  2024-04-05
    日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣佈，推出五款採用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件採用Vishay的Trench IGBT技術製造，為設計人員提供兩種業內先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業應用大電流逆變級導通或開關損耗。
  • Nexperia現可提供採用節省空間的CFP3－HP汽車平麵肖特基二極管
  • Nexperia現可提供採用節省空間的CFP3－HP汽車平麵肖特基二極管  2024-04-05
    基礎半導體器件領域的高産能生産專家Nexperia今日宣佈，現可提供採用CFP3-HP封裝的22種新型平麵肖特基二極管産品組合。該産品組合包括11種工業産品以及11種符合AEC-Q101標準的産品。本次産品發佈是為了支持製造商以更小尺寸的CFP封裝器件取代SMx型封裝器件的發展趨勢，特別是在汽車應用中。
  • Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設計性能
  • Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設計性能  2024-04-05
    Qorvo今日宣佈一款符合車規標準的碳化矽（SiC）場效應晶體管（FET）産品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現業界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 係列的首款産品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC 轉換器和正溫度係數（PTC）加熱器模塊等電動汽車（EV）類應用。
  • ROHM推出實現業界超快trr的100V耐壓SBD“YQ係列”
  • ROHM推出實現業界超快trr的100V耐壓SBD“YQ係列”  2024-04-05
    全球知名半導體製造商ROHM（總部位於日本京都市）麵嚮車載設備、工業設備、消費電子設備等的電源電路和保護電路，推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）“YQ係列”。
  • Nexperia針對工業和可再生能源應用推出採用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
  • Nexperia針對工業和可再生能源應用推出採用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET  2024-04-05
    Nexperia今天宣佈推出新款GaN FET器件，該器件採用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK錶麵貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質量的銅夾片SMD封裝方麵積纍了豐富的專業知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用於級聯氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。
  • Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件
  • Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件  2024-04-05
    Transphorm, Inc.近日宣佈，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN® FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可靠性——而市場上主流的代工e-mode氮化鎵則缺乏這樣的可靠性。
  • ROHM開發出LiDAR用的120W高輸出功率激光二極管“RLD90QZW8”
  • ROHM開發出LiDAR用的120W高輸出功率激光二極管“RLD90QZW8”  2024-04-05
    全球知名半導體製造商ROHM開發出一款高輸出功率半導體激光二極管“RLD90QZW8”，該産品非常適用於搭載測距和空間識別用LiDAR*1的工業設備領域的AGV（Automated Guided Vehicle/無人搬運車）和服務機器人、消費電子領域的掃地機器人等應用。
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