産品展示

視頻展示

新品展示

宏微科技推出分別針對汽車800V平臺和增程式混動的兩款IGBT模塊2024-06-08

宏微科技本次推出適合汽車800V平臺電驅控製器的産品 MMG600V120X6RS，以及針對1.5L增程器70KW GCU的産品 MMG280VD075X6T7，採用宏微GV與GVD封裝，均擁有更低的通態損耗，在客戶應用工況下有著極高的效率。

意法半導體公佈了新係列100V溝槽肖特基整流二極管以提高效率和功率密度2024-06-02

隨著低開關損耗的寬禁帶半導體等技術的廣泛應用，設計人員開始提高功率轉換器的工作頻率，不斷刷新功率密度。不過，當開關頻率變得更高時，用作整流器的傳統平麵二極管(包括矽肖特基器件)的能量損耗也會隨之變大，嚴重限製了轉換能效的改進。

Diodes推出業界首款同級産品中極小DSN1406 2A 封裝的肖特基整流器2024-06-08

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 發佈 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器，在同級産品中實現了業界極高的電流密度，以低正嚮壓降和熱阻的特性，為體積更小且更有效率的便攜式、移動和可穿戴設備克服了設計難題。

Diodes 公司推出業界首款同級産品中極小DSN1406 2A 封裝的肖特基整流器2024-06-08

Diodes 公司 發佈 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器，在同級産品中實現了業界極高的電流密度，以低正嚮壓降和熱阻的特性，為體積更小且更有效率的便攜式、移動和可穿戴設備克服了設計難題。此係列創新的高電流溝槽肖特基整流器採用僅佔 0.84mm² 電路闆空間的芯片級封裝 (CSP)，適用於各種用途，可作為阻流或反極性保護二極管、升壓二極管和開關二極管使用。

Vishay推出採用改良設計的INT－A－PAK封裝IGBT功率模塊，降低導通和開關損耗2024-06-08

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣佈，推出五款採用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件採用Vishay的Trench IGBT技術製造，為設計人員提供兩種業內先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業應用大電流逆變級導通或開關損耗。

Nexperia現可提供採用節省空間的CFP3－HP汽車平麵肖特基二極管2024-06-08

基礎半導體器件領域的高産能生産專家Nexperia今日宣佈，現可提供採用CFP3-HP封裝的22種新型平麵肖特基二極管産品組合。該産品組合包括11種工業産品以及11種符合AEC-Q101標準的産品。本次産品發佈是為了支持製造商以更小尺寸的CFP封裝器件取代SMx型封裝器件的發展趨勢，特別是在汽車應用中。

Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動汽車設計性能2024-06-08

Qorvo今日宣佈一款符合車規標準的碳化矽（SiC）場效應晶體管（FET）産品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現業界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 係列的首款産品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC 轉換器和正溫度係數（PTC）加熱器模塊等電動汽車（EV）類應用。

ROHM推出實現業界超快trr的100V耐壓SBD“YQ係列”2024-06-08

全球知名半導體製造商ROHM（總部位於日本京都市）麵嚮車載設備、工業設備、消費電子設備等的電源電路和保護電路，推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）“YQ係列”。

Nexperia針對工業和可再生能源應用推出採用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET2024-06-08

Nexperia今天宣佈推出新款GaN FET器件，該器件採用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK錶麵貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質量的銅夾片SMD封裝方麵積纍了豐富的專業知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用於級聯氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。

Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件2024-06-07

Transphorm, Inc.近日宣佈，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN® FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可靠性——而市場上主流的代工e-mode氮化鎵則缺乏這樣的可靠性。