适合高密度应用的新型功率半导体需要采用门极驱动器技术，这些技术支持更高的工作电压，并且能够在更宽的温度范围内保持高可靠性。封装还必须符合爬电距离和电气间隙的国际标准。本白皮书将介绍一种采用新型工业封装设计的创新的通信和绝缘技术。此外，还提出一种在系统短路期间提供完善的过压保护的方法。
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近期，碳化硅功率半导体越来越受欢迎，这正是电动汽车和可再生能源等重要新市场发展迅速但面临挑战的局面所导致的。当然，现有的功率半导体应用也变得更加苛刻。碳化硅的关键优势在于其高介电击穿场强相较于具有相同耐压的硅IGBT模块，它可以生产出具有明显更快的开关速度和更低的传导损耗的功率模块。为了在实际应用中发挥全SiC功率模块的所有优势，门极驱动器电路设计比以往任何时候都更具挑战性，需要解决三个主要问题。
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