在智能手機和HPC (高性能計算)中，為實現低阻抗設計，從很久以前就開始使用低ESL電容器。智能手機已採用三端子電容器，如今除了主闆外，IC封裝內也在使用三端子電容器。

另外，在HPC中，IC封裝會搭載大量的低ESL電容器。 今後，低ESL電容器在各式設備中的應用會逐漸增加，實際上，低ESL電容器已被應用於IVI和ADAS等車載使用的IC中。                                                              
                                                                  
另外，近年來，電路電源不斷推進低電壓化和大電流化，電壓的允許波動範圍也在不斷變小。舉例來說，在電源電壓的允許波動值為5%的情況下，3. 3V時的誤差允許值為±165mV，如果變成1．0V的話，允許波動範圍就會縮小到±50m， 更加需要阻止電源電壓波動。低電壓化的理由在於半導體工藝節點的微細化，大電流化的理由在於IC的多功能化。而隨著低電壓化和大電流化的推進， 需要大幅降低阻抗。

考慮到使用低ESL電容器的事例不斷增多，加之IC高功能化要求日益提升，預計設備低電壓，大電流化的趨勢今後仍將延續。